MURTA600120R
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | MURTA600120R |
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Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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48+ | $207.4171 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6 V @ 300 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Three Tower |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | Three Tower |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 25 µA @ 1200 V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 300A |
Grundproduktnummer | MURTA600120 |
MURTA600120R Einzelheiten PDF [English] | MURTA600120R PDF - EN.pdf |
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2024/09/10
2024/04/11
2025/01/15
2024/11/5
MURTA600120RGeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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